半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括：提供一半导体基板；于该半导体基板的上方形成第一和第二栅极堆叠结构；于该半导体基板中形成第一和第二凹陷；进行一选择性成长步骤，以于该第一凹陷和该第二凹陷中成长一半导体材料，以同时且分别形成第一和第二外延区；以及进行该选择性成长步骤之后，对该第一和第二外延区进行一选择性回蚀刻步骤，其中使用包括用以成长该半导体材料的一第一气体和用以蚀刻该第一和第二外延区的一第二气体的工艺气体进行该选择性回蚀刻步骤。本发明可借由选择性回蚀刻步骤减少图案负载效应，以达到形成更均一的外延区，且改善外延区的轮廓。可减少甚至消除外延区的琢面。

主权项

一种半导体结构的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基板，其包括一第一元件区和一第二元件区；于该第一元件区和该第二元件区的该半导体基板的上方形成一第一栅极堆叠结构和一第二栅极堆叠结构；分别于该第一元件区和该第二元件区的该半导体基板中形成一第一凹陷和一第二凹陷，且该第一凹陷和该第二凹陷邻接分別于该第一栅极堆叠结构和该第二栅极堆叠结构；进行一选择性成长步骤，以于该第一凹陷和该第二凹陷中成长一半导体材料，以同时且分别形成一第一外延区和一第二外延区，且该第二外延区的成长速率大于该第一外延区的成长速率；以及进行该选择性成长步骤之后，对该第一外延区和该第二外延区进行一选择性回蚀刻步骤，其中使用包括用以成长该半导体材料的一第一气体和用以蚀刻该第一外延区和该第二外延区的一第二气体的工艺气体进行该选择性回蚀刻步骤。