| 发明名称 | 用于制造具有发光二极管的光电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种生产光电子器件的方法，包括以下的连续步骤：提供具有第一面的衬底(10)；在所述第一面上形成包括线形、圆锥形或尖锥形的半导体元件的发光二极管的集合；用包封发光二极管的层(40)覆盖第一面的全部；形成与衬底绝缘并且从第二面到至少第一面延伸通过衬底的导电元件(56)；减小衬底的厚度；并且将产生的结构切割以分开发光二极管的每个集合。 | ||
| 申请公布号 | CN105593999A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201480053826.2 | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 原子能与替代能源委员会;艾利迪公司 | 发明人 | 克里斯多夫·布维尔;埃米莉·普茹瓦斯;泽维尔·于翁;卡洛·卡利;蒂费纳·杜邦;菲力浦·吉贝尔;纳赛尔·艾特曼 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/18(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 杨生平;任庆威 |
| 主权项 | 一种制造光电子器件(14)的方法，包括以下的连续步骤：(a)提供具有第一表面(22)的衬底(10)；(b)在所述第一衬底上形成包括圆锥形或尖椎形的线形半导体元件的发光二极管(DEL)的组件；(c)针对发光二极管的每个组件，形成覆盖所述组件的每个发光二极管的电极层(36)和在所述组件的所述发光二极管周围覆盖所述电极层的导电层(38)；(d)覆盖包封所述发光二极管的层(40)的整体第一表面；(e)减小衬底厚度，在步骤(e)之后所述衬底具有与所述第一表面(22)相反的第二表面(44)；(f)形成与所述衬底绝缘并且从所述第二表面跨所述衬底一直到至少所述第一表面(22)的导电元件(56)，所述导电元件与所述导电层相接触；(g)在所述第二表面上形成与所述衬底相接触的至少一个第一导电垫(52、60、82、102、132)；并且(h)将所获得的结构切割以分开发光二极管的每个组件。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||