| 主权项 |
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；在所述半导体基底上形成钝化层，所述钝化层具有暴露焊盘表面的第一开口；在所述焊盘上形成柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；在所述柱状电极上形成焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述凹槽的填充部；在所述焊盘上形成柱状电极的方法包括：在所述焊盘上形成柱状电极的本体；在所述钝化层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的表面低于柱状电极的本体的顶部表面，第一绝缘层和本体的外侧侧壁之间具有第一环形刻蚀凹槽；在形成所述第一绝缘层后，在所述柱状电极的本体中形成凹槽，所述本体和凹槽构成柱状电极；在所述柱状电极的本体中形成凹槽后，在柱状电极本体的顶部表面、凹槽内和第一环形刻蚀凹槽中填充满焊锡膏；对所述焊锡膏进行回流工艺，在柱状电极的本体顶部上形成金属凸头，在凹槽中形成填充部，在本体的外侧侧壁上形成裙带部，裙带部的上部分与金属凸头连接，裙带部的下部分与柱状电极两侧的部分钝化层相连接，并与第一环形刻蚀凹槽的侧壁相接触，所述裙带部的下部分的宽度大于上部分的宽度，裙带部的下部分的表面低于第一绝缘层的表面。 |
