发明名称 | 一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法,包括以下工序:选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化,本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺,使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域,而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心,即实现了复合中心的类似局域分布,有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷,并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间,同时可降低复合中心对漏电的影响,有利于提高产品成品率,可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。 | ||
申请公布号 | CN103578978B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
申请号 | CN201310487942.2 | 申请日期 | 2013.10.17 |
申请人 | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 | 发明人 | 殷丽;王传敏;王成杰;刘燕;杨小兵;姚全斌 |
分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人 | 范晓毅 |
主权项 | 一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)、在N型硅外延材料的N‑面(2)上淀积一层金属铂,然后在900~1000℃下进行铂扩散,时间为30~60min;(2)、将步骤(1)中经铂扩散后的圆片通过硅‑硅键合工艺键合一层重掺杂P+硅材料(1),形成P+阳极区;(3)、在圆片的P+阳极区上依次制备氧化层(8)和氮化硅层(7),作为台面腐蚀的掩蔽层,然后进行光刻,接着采用湿法腐蚀工艺形成硅台面结构,最后采用干法刻蚀工艺去掉台面上的氧化硅层(8)和氮化硅层(7);(4)、在步骤(3)得到的圆片表面依次制备磷硅玻璃、二氧化硅作为钝化层(6),或者依次制备二氧化硅、氮化硅作为钝化层(6);(5)、对经步骤(4)处理的圆片经光刻、腐蚀后形成阳极接触窗口,然后表面淀积金属,光刻、腐蚀后形成阳极金属电极(4);(6)、将步骤(5)得到的圆片从N+面(3)进行减薄;(7)、将减薄后的圆片的N+面(3)淀积金属,形成阴极金属电极(5)。 | ||
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