发明名称 |
降低源极和漏极电阻的结构和方法 |
摘要 |
本发明公开了降低源漏极电阻的方法。通过该方法可有效降低源极和漏极区电阻。该方法包括:在衬底上形成的栅极、源极和漏极区和侧墙;在所述侧墙外侧形成第一侧墙硬掩膜;在所述源极和漏极区上形成半导体层;在所述第一侧墙硬掩膜外侧形成第二侧墙硬掩膜;将所述第二侧墙硬掩膜作为掩膜层刻蚀所述半导体层;去除所述第一侧墙硬掩膜和第二侧墙硬掩膜,从而在所述源极和漏极区上形成与所述栅极分离的凸起结构。 |
申请公布号 |
CN105590842A |
申请公布日期 |
2016.05.18 |
申请号 |
CN201410654361.8 |
申请日期 |
2014.11.17 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
鲍宇;周军;朱亚丹;曾真 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张东梅 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,包括:在衬底上形成的栅极、源极和漏极区和侧墙;在所述侧墙外侧形成第一侧墙硬掩膜;在所述源极和漏极区上形成半导体层;在所述第一侧墙硬掩膜外侧形成第二侧墙硬掩膜;将所述第二侧墙硬掩膜作为掩膜层刻蚀所述半导体层;去除所述第一侧墙硬掩膜和第二侧墙硬掩膜,从而在所述源极和漏极区上形成与所述栅极分离的凸起结构。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |