| 发明名称 | TFT基板的防静电方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种TFT基板的防静电方法，包括提供TFT基板及采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w的步骤。该方法与传统的直流磁控溅射相比，所采用电压和功率较小，能耗小，且制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好，使得TFT基板防静电效果较好。 | ||
| 申请公布号 | CN103882400B | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410126866.7 | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 江西沃格光电股份有限公司 | 发明人 | 张迅;王海涛;李金鑫;易伟华 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种TFT基板的防静电方法，其特征在于，包括如下步骤：提供TFT基板；及采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w；所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板的运行速度为20mm/s～35mm/s；所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板与溅射靶材的距离为10mm～30mm。 | ||
| 地址 | 338004 江西省新余市高新技术产业开发区西城大道沃格工业园 | ||