| 发明名称 | 一种化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种化学机械研磨方法，包括：根据初始氧化层厚度获取待处理芯片的第一缺陷分布，根据所述第一缺陷分布获取所述待处理芯片缺陷区域的缺陷参数；根据所述缺陷参数确定所述氧化层的优化厚度，以减少CMP缺陷；获取所述待处理芯片在所述优化厚度下的第二缺陷分布，并根据所述第二缺陷分布对待处理芯片进行冗余金属填充；对进行所述冗余金属填充后的待处理芯片进行化学机械研磨。采用这种方法对待处理芯片进行化学机械研磨，既减少了芯片表面的不平坦性，又减少了冗余金属的填充数量，从而大幅减少了冗余金属填充带来的互连线寄生效应。 | ||
| 申请公布号 | CN105583718A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410643429.2 | 申请日期 | 2014.11.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 曹鹤;陈岚 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;B24B37/005(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：根据初始氧化层厚度获取待处理芯片的第一缺陷分布，根据所述第一缺陷分布获取所述待处理芯片缺陷区域的缺陷参数；根据所述缺陷参数确定所述氧化层的优化厚度，以减少CMP缺陷；获取所述待处理芯片在所述优化厚度下的第二缺陷分布，并根据所述第二缺陷分布对所述待处理芯片进行冗余金属填充；对进行所述冗余金属填充后的所述待处理芯片进行化学机械研磨。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||