半导体装置的制造方法

摘要

首先，在碳化硅基板(1)的表面层形成离子注入层(2)。不进行离子注入层(2)的活化。接着，在离子注入层(2)的表面形成接触电极(3)，形成接触电极(3)上的钨层(4)。接着，通过将整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使钨层(4)发热而进行加热。而且，通过来自钨层(4)的热传导，对接触电极(3)和离子注入层(2)进行加热。由此，在离子注入层(2)与接触电极(3)的界面形成成为与离子注入层(2)的欧姆接触的硅化物层的同时，使离子注入层(2)活化。形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化，并且能够提高产量。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一形成工序，通过离子注入，在半导体基板的表面层形成杂质区；第二形成工序，在所述杂质区的表面形成过渡金属层；以及等离子体处理工序，通过将形成了所述过渡金属层的状态下的所述半导体基板暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使所述过渡金属层发热，在所述等离子体处理工序中，通过来自所述过渡金属层的热传导，对所述杂质区进行加热，在所述过渡金属层与所述杂质区的界面形成所述过渡金属层与所述杂质区反应而成的欧姆接触，并且使所述杂质区活化。