| 发明名称 | 一种VDMOS器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法，包括：在衬底的第一表面上形成保护层；按照预设图形对所述保护层进行刻蚀形成窗口区域，得到与所述预设图形相应的保护层图形；采用横向外延生长方式在所述保护层图形的上方区域和窗口区域形成外延层。上述方法首先在衬底上形成保护层图形，之后采用横向外延生长方式在保护层图形的上方区域和窗口区域形成外延层，利用保护层图形对外延生长方向进行控制，可以将衬底内的位错横向拉伸，由此生长的外延层的位错密度较衬底可以低2-3个数量级，能够大幅提高外延层质量，进而提高VDMOS器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105590853A | 申请公布日期 | 2016.05.18 |
| 申请号 | CN201410569316.2 | 申请日期 | 2014.10.22 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲;马万里;李理 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在衬底的第一表面上形成保护层；按照预设图形对所述保护层进行刻蚀形成窗口区域，得到与所述预设图形相应的保护层图形；采用横向外延生长方式在所述保护层图形的上方区域和窗口区域形成外延层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||