半导体元件及其制造方法

摘要

半导体元件包括：具有第一导电型的基底、两堆叠层、具有第二导电型的第一掺杂区、非晶化前植入区以及具有第二导电型的第二掺杂区。两堆叠层位于基底上，其中各堆叠层包括介电层以及导体层。介电层位于基底。导体层位于介电层上。第一掺杂区具有第一掺质，位于各堆叠层之间的基底中。非晶化前植入区位于第一掺杂区中。第二掺杂区具有第二掺质，位于非晶化前植入区中，其中第一导电型与第二导电型不同，且第二掺质的扩散速率大于第一掺质的扩散速率，且第二掺质的热活性高于第一掺质的热活性。

主权项

一种半导体元件，包括： 两堆叠层，位于具有一第一导电型的一基底上，其中各该堆叠层包括： 一介电层，位于该基底上；以及 一导体层，位于该介电层上； 具有一第二导电型的一第一掺杂区，具有一第一掺质，位于各该堆叠层之间的该基底中； 一非晶化前植入区，位于该第一掺杂区中；以及 具有该第二导电型的一第二掺杂区，具有一第二掺质，位于该非晶化前植入区中，其中该第一导电型与该第二导电型不同，且该第二掺质的扩散速率大于该第一掺质的扩散速率，该第二掺质的热活性高于该第一掺质的热活性。