发明名称 |
金属区段作爲接着垫及IC装置中的区域互连件 |
摘要 |
明揭示用于利用额外金属层之金属区段作为用于通孔之接着垫及亦作为在IC装置中之接触件之间之区域互连件之方法以及所得装置。实施例包括形成连接至位于积体电路装置中之基板上之电晶体的源极/汲极接触件及闸极接触件,每一接触件具有具第一面积之上表面;在该等接触件之上表面于一平面上形成金属区段,每一金属区段系与一或多个该等接触件接触并具有大于该第一面积之第二面积;及在一或多个该等金属区段与第一金属层之一或多个第一区段之间形成一或多个通孔。
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申请公布号 |
TW201618199 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
申请号 |
TW104122502 |
申请日期 |
2015.07.13 |
申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
宇 永泰;李 明俊;金莱恩 永汉;桂 宗郁 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01);H01L23/485(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
一种方法,其包含:形成源极/汲极接触件及闸极接触件,其连接至位于积体电路装置中之基板上之电晶体,每一接触件具有具第一面积之上表面;在该等接触件之上表面于一平面上形成金属区段,每一金属区段系与一或多个该等接触件接触并具有大于该第一面积之第二面积;及在一或多个该等金属区段与第一金属层之一或多个第一区段之间形成一或多个通孔。
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地址 |
美国 |