肖特基嵌位射频开关

摘要

明提供涉及具有被嵌位主体之射频(RF)开关之各种方法及装置。一种具有被嵌位主体之例示性RF开关包含将源极及汲极分开之通道。该RF开关亦包含嵌位区域，其跨越该通道延伸至源极及汲极中，并且具有比源极及汲极更低之掺杂浓度。该RF开关亦包含一对匹配的矽化物区域，其形成于该通道之任一侧上并且与该嵌位区域相接触。该嵌位区域与该对匹配的矽化物区域形成一对肖特基二极体障壁。该RF开关可在复数个操作模式下操作。该对肖特基二极体障壁为该被嵌位主体中之累积电荷提供恒定的储集器，而与该RF开关正在其下操作之操作模式无关。

主权项

一种具有一被嵌位主体之射频开关，其包含：一通道，其将一源极及一汲极分开；一嵌位区域，其跨越该通道延伸至该源极及该汲极中，并且具有一比该源极及该汲极更低之掺杂浓度；以及一对匹配的矽化物区域，其形成于该通道之任一侧上并且与该嵌位区域接触；其中该嵌位区域与该对匹配的矽化物区域形成一对肖特基二极体障壁；其中该射频开关可在复数个操作模式下操作；并且其中该对肖特基二极体障壁为该被嵌位主体中之累积电荷提供恒定的储集器，该储集器与该射频开关正在其下操作之操作模式无关。