发明名称 用于定向自组装及图案硬化的方法
摘要 所揭露技术包含用于定向自组装(DSA,directed self-assembly)图案化和DSA图案之硬化的方法。技术包含使用波长从约100奈米至170奈米之真空紫外(VUV,vacuum ultraviolet)光暴露使相分离嵌段共聚物硬化。VUV光可使用电浆处理系统产生,以及从激发各种生成VUV的处理气体而产生。VUV硬化步骤系在执行蚀刻制程之前(全部地或部分地)执行,该蚀刻制程蚀去复数嵌段共聚物之一者。该VUV暴露可选择性地硬化一嵌段共聚物,同时弱化另一嵌段共聚物。该硬化及弱化增加了使蚀刻更有效的蚀刻选择性,且导致产生较好的图案。
申请公布号 TW201618184 申请公布日期 2016.05.16
申请号 TW104125048 申请日期 2015.08.03
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 莫汉蒂 尼哈尔
分类号 H01L21/3105(2006.01);H01L21/311(2006.01) 主分类号 H01L21/3105(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项 一种处理基板的方法,该方法包含: 放置步骤,将一基板放置于一电浆处理系统之一基板固持器上,该基板具有藉由定向自组装(DSA,directed self-assembly)而形成的、嵌段共聚物的一微相分离图案; 第一处理气体流动步骤,使一第一处理气体流动至该电浆处理系统之一电浆处理腔室内,该第一处理气体系以电浆态产生真空紫外辐射之气体; 照射步骤,利用源自使用该第一处理气体而产生之电浆的真空紫外辐射照射该基板,使得相较于暴露至真空紫外辐射之前各自的硬度值,一第一嵌段共聚物的硬度增加且一第二嵌段共聚物的硬度减少; 第二处理气体流动步骤,使一第二处理气体流动至该真空处理腔室内,该第二处理气体系以电浆态产生蚀刻剂之气体;以及 蚀刻步骤,执行一蚀刻制程,该蚀刻制程将该基板暴露至产自于该第二处理气体之电浆产物,使得至少一部分该第二嵌段共聚物被蚀去,并且从该基板移除。
地址 日本
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