以合倂重置来改良电阻式记忆体写入操作

摘要

记忆单元写入成第一位元状态所花费之时间比将记忆单元写入成第二位元状态所花费之时间长的记忆体装置中，选择性地执行写入操作可摊销写入花费较长时间来写入之位元状态之效能成本。写入逻辑将多个快取行自写入缓冲器清除伫列，并且在单一个写入操作中将所有快取行之所有位元设置为第一位元状态。写入逻辑随后单独地对每一快取行执行独立的写入操作来选择性地将每一相应快取行之记忆单元写入成第二位元状态。

主权项

一种用于写入一记忆体装置之方法，其包含以下步骤：将一大于一的数目之快取行清除伫列以在一记忆体装置中执行写入操作，其中每一快取行包括一列记忆单元，每一记忆单元受控于三个独立的控制线，其中写入成一第一记忆单元状态所花费之时间比写入成一第二记忆单元状态所花费之时间长；在一单一个写入操作中将该数目的快取行之所有记忆单元设置为该第一记忆单元状态；以及单独地对该数目的快取行执行写入操作来选择性地将该等个别快取行之记忆单元写入成该第二记忆单元状态。