发明名称 硅单晶的制造方法及制造系统
摘要 :正确地掌握各氧化矽玻璃坩埚之容积来事先预测氧化矽玻璃坩埚内之矽熔液之初期液位,据此可靠地进行晶种之着液工艺。 解决手段:于氧化矽玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化矽玻璃坩埚之内表面上之复数点之空间座标,根据将各测量点作为顶点座标之多角形组合来特定氧化矽玻璃坩埚之内表面之三维形状(S11),预先设定氧化矽玻璃坩埚内之矽熔液之初期液位之预测值(S12),基于氧化矽玻璃坩埚之内表面之三维形状来求取满足初期液位之预测值矽熔液之体积(S13),求取具有所述体积之矽熔液之重量(S14),于氧化矽玻璃坩埚中填充具有所述重量之原料(S15),以及基于初期液位之预测值来控制晶种之着液(S17)。
申请公布号 TW201617487 申请公布日期 2016.05.16
申请号 TW104131328 申请日期 2015.09.22
申请人 胜高股份有限公司 发明人 佐藤忠广;北原江梨子;须藤俊明;北原贤
分类号 C30B15/02(2006.01);C30B35/00(2006.01) 主分类号 C30B15/02(2006.01)
代理机构 代理人 陈俊铭
主权项 一种硅单晶的制造方法,为根据加热氧化矽玻璃坩埚内填充之原料来生成矽熔液以及提拉于所述矽熔液中着液之晶种来使单晶矽生长之切克劳斯基法之硅单晶的制造方法,其特征在在于:于氧化矽玻璃坩埚中填充原料之前,测量所述氧化矽玻璃坩埚之内表面上之复数点之空间座标,借由将各测量点作为顶点座标之多角形组合来特定所述氧化矽玻璃坩埚之内表面之三维形状;预先设定所述氧化矽玻璃坩埚内之矽熔液之初期液位之预测值;基于所述氧化矽玻璃坩埚之内表面之三维形状,来求取满足所述初期液位之预测值之所述矽熔液之体积;求取具有所述体积之所述矽熔液之重量;于所述氧化矽玻璃坩埚中填充具有所述重量之所述原料;以及基于所述初期液位之预测值来进行晶种之着液控制。
地址 日本