自对准闸极后制第三族氮化物电晶体

摘要

具有自对准闸极的第三族氮化物电晶体、并入此等电晶体之系统、及用于形成它们的方法之技术被讨论。此等电晶体包括在高起的源极与高起的汲极间之极化层、于该源极与汲极之间且在该极化层之上的闸极、及在该源极与汲极之上且于其间具有开口的横向磊晶过度生长，使得该闸极毗连该极化层的至少一部分系与该开口对准。

主权项

一种电晶体，包含：极化层，设置在装置层之上；高起的源极、高起的汲极、及在该高起的源极与该高起的汲极间之闸极，其中该极化层系在该高起的源极与该高起的汲极之间，且其中该闸极被设置在该极化层之上；及第一横向磊晶过度生长，其设置在该高起的源极之上且具有朝该闸极横向地延伸的第一部分，与第二横向磊晶过度生长，其在该高起的汲极之上且具有朝该闸极横向地延伸的第二部分，其中该第一及第二横向磊晶过度生长具有在该第一及第二部分间之开口，且其中该闸极毗连该极化层的至少一部分系与该开口对准。