| 发明名称 |
热电元件之制程 |
| 摘要 |
明系提供一种热电元件之制程，其特征在于利用半导体制程技术建构出具有奈微米间隙的热电元件，目的在于降低元件的热传导系数，以大幅提升热电元件的热电能源转换效率。此外，于热电元件的奈微米间隙中添加奈米颗粒，更可以增加元件的导电性，进而再次提升热电元件的热电能源转换效率。 |
| 申请公布号 |
TW201618343 |
申请公布日期 |
2016.05.16 |
| 申请号 |
TW103139431 |
申请日期 |
2014.11.13 |
| 申请人 |
国立清华大学 |
发明人 |
赖梅凤;卫荣汉;黄晧庭 |
| 分类号 |
H01L35/04(2006.01);H01L35/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L35/04(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
杨长峯;李国光;张仲谦 |
| 主权项 |
【第1项】一种热电元件制程，包含：制备至少二奈微米尖端结构，该至少二奈微米尖端结构之一尖端系相对间隔一奈微米间隙；以及 |
| 地址 |
新竹市光复路2段101号 |
