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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
半导体装置,例如,影像感测器,包含半导体层,其中,例如,可形成光二极体。绝缘膜设置在半导体层的表面上。绝缘膜包含一或更多的导线或导线层形成于其中。半导体支持基板设置在绝缘膜上。半导体支持基板包含第一层(或区域)及于绝缘膜及第一层之间的第二层(或区域)。第一层具有的体微缺陷密度高于第二层的体微缺陷密度。
申请公布号
TW201618292
申请公布日期
2016.05.16
申请号
TW104106056
申请日期
2015.02.25
申请人
东芝股份有限公司
发明人
本乡悟史;松村刚;芦立浩明;谷田一真
分类号
H01L27/146(2006.01)
主分类号
H01L27/146(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
一种半导体装置,包含:半导体层;设置在该半导体层的表面上的绝缘膜,该绝缘膜包含形成在其中的导线;以及设置在该绝缘膜上的半导体支持基板,该半导体支持基板包含第一层及在该绝缘膜及在该第一层之间的第二层,该第一层具有的体微缺陷密度大于该第二层的体微缺陷密度。
地址
日本
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