| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen von Kontaktöffnungen (30, 122) in einem Halbleiterbody (10, 100), wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Ausbilden mehrerer selbstjustierter Strukturen auf eine Hauptoberfläche (11, 106) eines Halbleiterbody, wobei benachbarte der selbstjustierten Strukturen beabstandete Seitenwände aufweisen, die einander zugewandt sind, durch Ausbilden mehrerer sich von der Hauptoberfläche (11, 106) des Halbleiterbody (10, 100) in den Halbleiterbody erstreckender Gräben (12, 104); Ausbilden einer ersten Schicht (15, 108) auf der Hauptoberfläche (11, 106) und in den Gräben (12, 104), wobei die erste Schicht (15, 108) ausgenommene Gebiete (16) über den Gräben aufweist; Ausbilden einer zweiten Schicht (20, 110) auf der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht (20, 110) die ausgenommenen Gebiete (16) der ersten Schicht (15, 108) füllt; und Ausbilden von Öffnungen (30, 112) in der ersten und zweiten Schicht (15, 20, 108, 110), die sich zu der Hauptoberfläche (11, 106) über Inselgebieten des Halbleiterbody zwischen benachbarten der Gräben (12, 104) erstrecken; Ausbilden einer Abstandshalterschicht (120) auf den Seitenwänden der selbstjustierten Strukturen und Ausbilden von Öffnungen (30, 122) in dem Halbleiterbody (10, 100) zwischen benachbarten der selbstjustierten Strukturen, während sich die Abstandshalterschicht (120) auf den Seitenwänden der selbstjustierten Strukturen befindet, so dass jede Öffnung eine Breite und einen Abstand zu der Seitenwand eines benachbarten Grabens aufweist, die einer Dicke der Abstandshalterschicht entspricht. |
