METHOD FOR EVALUATING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR MANAGING QUALITY OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND EVALUATION ELEMENT AND EVALUATION DEVICE USED IN ABOVE EVALUATION METHOD

摘要

본 발명은 산화물 반도체 박막의 전기 저항률을, 정확하고 또한 간편하게 측정하여, 평가·예측·추정하는 방법 및 산화물 반도체의 품질 관리 방법을 제공한다. 본 발명에 관한 산화물 반도체 박막의 평가 방법은, 산화물 반도체 박막이 형성된 시료에 여기 광 및 마이크로파를 조사하고, 상기 여기 광의 조사에 의해 변화되는 상기 마이크로파의 상기 산화물 반도체 박막으로부터의 반사파의 최대값을 측정한 후, 상기 여기 광의 조사를 정지하고, 상기 여기 광의 조사 정지 후의 상기 마이크로파의 상기 산화물 반도체 박막으로부터의 반사파의 반사율 변화를 측정하는 제1 공정과, 상기 반사율의 변화로부터, 여기 광의 조사 정지 후에 보이는 느린 감쇠에 대응하는 파라미터를 산출하여, 상기 산화물 반도체 박막의 전기 저항률을 평가하는 제2 공정을 포함한다.