| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Plasmabehandlung einer Release-Schicht, umfassend die Schritte (i) Einbringen eines Plasmagases in einen Entladungsraum; (ii) Anregen des Plasmagases in einen Plasmazustand durch Entladung; und (iii) Aussetzen der Release-Schicht dem Plasmagas in einem Plasmazustand, wobei das Anregen des Plasmagases in einen Plasmazustand über eine elektrische Hochspannung mit einer Frequenz von 2000 bis 100.000 Hz erfolgt und die Hochspannung mit einer Schaltfrequenz von 30 bis 5000 Hz gepulst wird. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner Release-Schichten, die nach dem hierin beschriebenen Verfahren erhältlich sind, sowie Release-Liner umfassend einen Träger und die Release-Schicht. Ebenfalls beschrieben werden Klebebänder, umfassend den hierin beschriebenen Release-Liner sowie eine Klebmasse. |
