| 发明名称 |
磁気構造体の処理方法 |
| 摘要 |
ＣｏＦｅＢ合金を含む磁性材料の少なくとも１つの第１の層を備える磁気構造体を提供する段階（Ｓ１０）、前記磁気構造体に低エネルギーの軽イオンを照射する段階（Ｓ２０）、及び、同時に、前記磁気構造体を所定温度プロファイルで所定時間保持する段階（Ｓ３０）を含むことを特徴とする、磁性材料を処理する方法。 |
| 申请公布号 |
JP2016513374(A) |
申请公布日期 |
2016.05.12 |
| 申请号 |
JP20150559534 |
申请日期 |
2014.02.21 |
| 申请人 |
サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス−;ユニヴェルシテ・パリ・シュド・（パリ・１１） |
发明人 |
ダフィーヌ・ラヴェロソナ |
| 分类号 |
H01F10/16;H01F41/22;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/12 |
主分类号 |
H01F10/16 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
