发明名称 |
スタックされたメモリ要素を有する半導体デバイスおよび半導体デバイス上にメモリ要素をスタックする方法 |
摘要 |
半導体デバイスは、基板に結合されるダイと、基板に反対のダイの表面に結合される第1のメモリデバイスと、第2のメモリデバイスが第1のメモリデバイスに少なくとも部分的に重なるように、基板に反対のダイの表面と第2のメモリデバイスとの間に結合される結合デバイスとを含む。少なくとも部分的に重なる仕方で、ダイ上に第1および第2のメモリデバイスを搭載する方法が、やはり開示される。 |
申请公布号 |
JP2016513367(A) |
申请公布日期 |
2016.05.12 |
申请号 |
JP20150557224 |
申请日期 |
2014.02.12 |
申请人 |
クアルコム,インコーポレイテッド |
发明人 |
ブライアン・エム・ヘンダーソン;シーチュン・グ |
分类号 |
H01L25/065;H01L21/8246;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/10;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
主分类号 |
H01L25/065 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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