发明名称 等离子体产生装置、CVD装置及等离子体处理粒子生成装置
摘要 本发明提供一种等离子体产生装置,在该等离子体产生装置中,即使将原料气体供给到配置有电极单元的框体内,也不会产生在框体内配设的电供给部或电极面发生腐蚀、在电极单元的放电部以外的框体内部处沉积金属这样的问题。而且,本发明所涉及的等离子体产生装置(100)具备电极单元和围绕该电极单元的框体(16)。电极单元具有第一电极(3)、隔着放电空间(6)而与第一电极(3)面对面的第二电极(1)、及配置于各电极(1、3)的主表面的电介质(2a、2b)。此外,等离子体产生装置(100)具有管路(75),该管路(75)不与未配设电极单元的框体(16)内部的空间连接,而从框体(16)外向放电空间(6)直接供给原料气体。
申请公布号 CN103782663B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201280043734.7 申请日期 2012.04.23
申请人 东芝三菱电机产业系统株式会社 发明人 田畑要一郎;渡边谦资
分类号 H05H1/24(2006.01)I;C23C16/452(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I 主分类号 H05H1/24(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 雒运朴
主权项 一种等离子体产生装置,其特征在于,所述等离子体产生装置具备:电极单元(1、2a、2b、3);电源部(17),其对所述电极单元施加交流电压;框体(16),其围绕所述电极单元,所述电极单元具有:第一电极(3);第二电极(1),其以形成产生电介质势垒放电的放电空间(6)的方式与所述第一电极面对面;电介质(2a、2b),其配置在面向所述放电空间的所述第一电极的主表面及面向所述放电空间的所述第二电极的主表面中的至少任一方;贯通口(PH),其在俯视观察下形成于电极单元的中央部,且沿着所述第一电极与所述第二电极面对面的方向贯通,所述等离子体产生装置还具备:绝缘筒部(21),其呈圆筒形状,配设在所述贯通口的内部,且在该圆筒形状的侧面部具有面向所述放电空间的喷出孔(21x);管路(75),其不与未配设所述电极单元的所述框体内部的空间连接,而从所述框体外向所述放电空间直接供给原料气体。
地址 日本国东京都中央区京桥三丁目1番1号