发明名称 |
半导体衬底、器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体衬底的制造方法,包括:提供体衬底;刻蚀衬底,以形成有源区和沟槽,有源区的表面上形成有掩膜层;继续刻蚀衬底,以在有源区下形成开口;填充沟槽及开口,以形成隔离和绝缘层。由于绝缘层的存在,明显减小了器件的漏电流和功耗,增加了器件的集成度,起到类似SOI器件的效果。 |
申请公布号 |
CN105575877A |
申请公布日期 |
2016.05.11 |
申请号 |
CN201410553521.X |
申请日期 |
2014.10.17 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
许静;闫江;唐兆云;王红丽;唐波;徐烨锋;李春龙;杨萌萌;陈邦明 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京维澳专利代理有限公司 11252 |
代理人 |
党丽;吴兰柱 |
主权项 |
一种半导体衬底的制造方法,其特征在于,包括:提供体衬底;刻蚀衬底,以形成有源区和沟槽,有源区的表面上形成有掩膜层;继续刻蚀衬底,以在有源区下形成开口;填充沟槽及开口,以形成隔离和绝缘层。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |