发明名称 一种AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法
摘要 本发明公开了一种AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法。该方法是以进行表面洁净处理并除去表面SiO<sub>2</sub>氧化层的商品AFM硅针尖作为电镀基底,在合适的电镀金溶液中,采用脉冲电镀方法,沉积出一层纳米厚度且致密的金薄膜。本发明采用的商品AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法,方法和设备简单;成本低廉;制备的金膜特征重现性好;所得金膜与基底结合力良好、金颗粒细小、致密并分布均匀;金膜厚度5~75nm;针尖表面金膜曲率半径可小于25nm;制备的原子力显微镜针尖具有针尖增强拉曼光谱(TERS)活性。
申请公布号 CN103757675B 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201410025554.7 申请日期 2014.01.20
申请人 厦门大学 发明人 杨防祖;杨丽坤;吴德印;任斌;田中群
分类号 C25D5/18(2006.01)I;G01Q60/38(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C25D5/18(2006.01)I
代理机构 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人 张松亭
主权项 一种原子力显微镜硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法,其特征是:直接以进行表面洁净处理并除去表面SiO<sub>2</sub>氧化层的AFM硅针尖作为电镀基底,在电镀金溶液中,采用方波脉冲电镀方法,沉积出一层纳米厚度的致密金薄膜。
地址 361000 福建省厦门市思明南路422号