| 发明名称 | 一种具有低延时功耗积的抗单粒子翻转的锁存器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有低延时功耗积的抗单粒子翻转的锁存器，采用新型的具有隔离翻转状态的交叉耦合结构，通过设计合理的负反馈通路来加快翻转状态的恢复。在数据传输模式(transparent mode)时，切断负反馈以提高电路的写入速度。在40nm CMOS工艺下仿真结果表明，本发明的临界电荷比传统的锁存器高50倍以上。延时功耗积只有0.0035fs*J，无负载时传播延时只有23.3ps，低于同类型的锁存器。 | ||
| 申请公布号 | CN105577146A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201510940345.X | 申请日期 | 2015.12.15 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 张国和;陈云;王丽;段国栋 |
| 分类号 | H03K3/3565(2006.01)I;H03K3/012(2006.01)I;H03K3/013(2006.01)I | 主分类号 | H03K3/3565(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
| 主权项 | 一种具有低延时功耗积的抗单粒子翻转的锁存器，其特征在于，包括存储主体电路(200)、控制电路(100)以及两个输入端口和两个互补的输出端口；存储主体电路(200)设置有四个冗余晶体管；两个互补的输出端口为第一存储节点(Q)和第二存储节点(QB)；锁存器工作于数据写入阶段时，四个冗余晶体管在能够第一存储节点(Q)和第二存储节点(QB)的控制下关断，切断电路的负反馈通路；控制电路(100)设置有第一控制节点(P)和第二控制节点(PB)。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 | ||