图案形成方法

摘要

形成电子装置的方法，其包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下的组合物形成：包含具有酸不稳定基团的单元的基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)在所述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂外涂层组合物，其中所述外涂层组合物包含：基质聚合物；添加剂聚合物；碱性淬灭剂；以及有机溶剂；其中所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且其中所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计1到20重量％的量存在于所述外涂层组合物中；(d)使所述光致抗蚀剂层曝光于活化辐射；(e)在曝光后烘烤加工中加热所述衬底；以及(f)使用有机溶剂显影剂使所述经曝光膜显影。所述方法在半导体制造业具有特殊适用性。

主权项

一种图案形成方法，其包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下的组合物形成：包含具有酸不稳定基团的单元的基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)在所述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂外涂层组合物，其中所述外涂层组合物包含：基质聚合物；添加剂聚合物；碱性淬灭剂；以及有机溶剂；其中所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且其中所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计1到20重量％的量存在于所述外涂层组合物中；(d)使所述光致抗蚀剂层曝光于活化辐射；(e)在曝光后烘烤加工中加热所述衬底；以及(f)用有机溶剂显影剂使所述经曝光膜显影。