一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的方法包括：步骤S101：提供包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的栅极结构和层间介电层的前端器件，在层间介电层内形成位于设置于漏区的浅沟槽隔离的上方的虚拟接触孔；步骤S102：在虚拟接触孔内形成虚拟接触孔介电填充层；步骤S103：去除层间介电层位于源线区与漏区的部分以形成接触孔；步骤S104：在接触孔内形成导电连接件。该方法通过先形成虚拟接触孔以及位于虚拟接触孔内的虚拟接触孔介电填充层，然后再进行刻蚀形成接触孔，可以避免接触孔开路以及接触孔与栅极短路。本发明的电子装置，包括根据上述方法制得的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的栅极结构和层间介电层的前端器件，在所述层间介电层内形成位于设置于漏区的浅沟槽隔离的上方的虚拟接触孔；步骤S102：在所述虚拟接触孔内形成虚拟接触孔介电填充层；步骤S103：去除所述层间介电层位于源线区与漏区的部分以形成接触孔；步骤S104：在所述接触孔内形成导电连接件。