一种浅沟槽隔离结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成具有第一宽度的第一沟槽；采用C_xF气体处理第一沟槽内暴露的半导体衬底，以在第一沟槽的侧壁和底部形成第一钝化层；去除位于第一沟槽底部的第一钝化层；采用各向同性刻蚀工艺刻蚀第一沟槽底部的半导体衬底，以形成具有第二宽度的第二沟槽，其中，第二宽度大于第一宽度；刻蚀位于第二沟槽底部的部分半导体衬底，以形成具有第三宽度的第三沟槽，第三宽度小于第二宽度；在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽内填充浅沟槽隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽隔离结构，保证载流子在阱区和阱区相对侧的晶体管的源/漏极之间的移动路径，保证了其隔离性。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：a)提供半导体衬底；b)在所述半导体衬底中形成具有第一宽度的第一沟槽；c)采用C_xF气体处理所述第一沟槽内暴露的所述半导体衬底，以在所述第一沟槽的侧壁和底部形成第一钝化层；d)去除位于所述第一沟槽底部的所述第一钝化层；e)采用各向同性刻蚀工艺刻蚀所述第一沟槽底部的所述半导体衬底，以形成具有第二宽度的第二沟槽，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度；f)刻蚀位于所述第二沟槽底部的部分所述半导体衬底，以形成具有第三宽度的第三沟槽，所述第三宽度小于所述第二宽度；g)在所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽内填充浅沟槽隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构。