| 发明名称 | 单片式混合整流二极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种单片式混合整流二极管结构。该单片式混合整流二极管结构包括芯片、至少一PIN二极管、至少一肖特基二极管以及终端结构。芯片具有第一主动区、第二主动区与终端区。PIN二极管配置于第一主动区上。肖特基二极管配置于第二主动区上。终端结构配置于终端区上，其中终端区分隔第一主动区与第二主动区，且PIN二极管与肖特基二极管共享终端结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105575962A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201410529716.0 | 申请日期 | 2014.10.10 |
| 申请人 | 硕颉科技股份有限公司 | 发明人 | 郑谦兴 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
| 主权项 | 一种单片式混合整流二极管结构，其特征在于，包括：芯片，具有第一主动区、第二主动区与终端区；至少一PIN二极管，配置于该第一主动区上；至少一肖特基二极管，配置于该第二主动区上；以及终端结构，配置于该终端区上，其中该终端区分隔该第一主动区与该第二主动区，且该PIN二极管与该肖特基二极管共享该终端结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市松山区（105）南京东路4段16号4楼 | ||