一种用于提拉法晶体生长的下晶方法和自动下晶设备

摘要

本发明公开了一种用于提拉法晶体生长的下晶方法，包括步骤：对坩埚加热，使位于坩埚内的晶体材料熔化；缓慢下移籽晶；当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；监测籽晶质量增减速度，当籽晶质量增减速度范围处于阈值V内，对坩埚保持原有加热状态，当籽晶质量增加或减小速度范围超过阈值V，升高或降低坩埚的温度，然后籽晶上移，重新下晶。本发明的下晶方法，避免在下晶过程中由保温系统的温度梯度对籽晶造成热冲击，当发生籽晶生长过速和籽晶熔化现象时可通过调整下晶温度，重新下晶操作。本发明还提供了一种自动下晶设备，所述设备的控制装置控制晶体生长过程的自动进行，实现全自动化下晶，使下晶操作脱离人工。

主权项

一种用于提拉法晶体生长的下晶方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)对坩埚加热，使位于坩埚内的晶体材料熔化；(2)缓慢下移籽晶；(3)当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；(4)监测籽晶质量增减速度，当籽晶质量增减速度范围处于阈值V内，对坩埚保持原有加热状态；当籽晶质量增加或减小速度范围超过阈值V，升高或降低坩埚的温度，然后上移籽晶，执行步骤(2)，重新下晶。