多层堆叠扇出型封装及其制备方法

摘要

本发明涉及一种多层堆叠扇出型封装及其制备方法，包括以下步骤：（1）在承载片表面制作第一导电层和金属柱；（2）将第一芯片贴在临时键合薄膜上，覆盖第一绝缘树脂并减薄露出金属柱；（3）在第一绝缘树脂表面制作第二绝缘树脂、第二导电层和第一导电线路；（4）在第一导电线路上面贴装第二芯片，在第二芯片上覆盖第三绝缘树脂，拆除承载片和临时键合薄膜；（5）在第一芯片正面制作第四绝缘树脂、第三导电层和第二导电线路；（6）在第四绝缘树脂表面涂覆第五绝缘树脂，在第二导电线路上形成凸点下金属和金属球，得到所述多层扇出型封装。本发明工艺流程简单，制作工艺和制作成本均降低，得到的多层堆叠扇出型封装结构复杂程度低。

主权项

一种多层堆叠扇出型封装的制备方法，其特征是，包括以下步骤：（1）承载片（101）作为基底材料，在承载片（101）表面覆盖临时键合薄膜（102）；（2）在临时键合薄膜（102）上形成第一导电层（103A），在第一导电层（103A）上涂覆光刻胶（104），通过光刻形成金属柱（105）的开口图形；（3）在金属柱（105）的开口图形处的第一导电层（103A）上形成金属柱（105），去除光刻胶（104）和露出来的第一导电层（103A）；（4）将多个第一芯片（106A）的正面贴在临时键合薄膜（102）上，覆盖第一绝缘树脂（107），第一绝缘树脂（107）将第一芯片（106A）和金属柱（105）包裹；将第一绝缘树脂（107）的表面减薄，露出金属柱（105）；（5）在第一绝缘树脂（107）和第一芯片（106A）表面涂覆第二绝缘树脂（108），使用光刻工艺在第二绝缘树脂（108）上开窗，露出金属柱（105）的表面；在第二绝缘材料（108）上形成第二导电层（103B）；（6）在第二导电层（103B）上形成第一导电线路（109A）；（7）去除露出的第二导电层（103B），在第一导电线路（109A）上面贴装多个第二芯片（106B），第二芯片（106B）的电极与第一导电线路（109A）相连；（8）在第二芯片（106B）上覆盖第三绝缘树脂（107a），拆除承载片（101）、临时键合薄膜（102）和第一种子层（103A），露出金属柱（105）和第一芯片（106A）的焊盘（110）；（9）在第一芯片（106A）正面涂覆第四绝缘树脂（108a），在第四绝缘树脂（108a）上开窗，露出金属柱（105）和第一芯片（106A）的焊盘（110）；再在第四绝缘树脂（108a）表面形成第三导电层（103C），在第三导电层（103C）表面通形成第二导电线路（109B）；最后去除露出的第三导电层（103C）；（10）在第四绝缘树脂（108a）和第二导电线路（109B）表面涂覆第五绝缘树脂（111），通过光刻工艺露出第二导电线路（109B）；在第二导电线路（109B）上形成凸点下金属（112），在凸点下金属层（112）上形成金属球（113），得到所述多层扇出型封装。