一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法

摘要

本发明提供一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其包括：先在硅片上沉积电容下电极板、然后在电容下电极板上沉积介质层，再在电容的介质层上沉积一层氮化钛缓冲层、最后在氮化钛缓冲层上沉积电容上电极板。本发明的方法在电容上电极板的金属层与介质层之间沉积一层氮化钛缓冲层作为应力缓冲层，使得介质层上下应力达到平衡，能够从本质上改善电容分层的情况。

主权项

一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其包括：先在硅片上沉积电容下电极板、然后在电容下电极板上沉积介质层，再在电容的介质层上沉积一层氮化钛缓冲层、最后在氮化钛缓冲层上沉积电容上电极板,所述介质层为氮化硅层或氧化硅层，所述电容下极板金属层中的最上层为氮化钛层，所述氮化钛缓冲层是通过物理气相沉积工艺形成于介质层上，所述物理气相沉积氮化钛工艺温度为300摄氏度,所述物理气相沉积氮化钛工艺的压力为4200—4800兆托，所述氮化钛缓冲层沉积的厚度为285—315埃。