低温度系数的片上电阻

摘要

本发明提供一种低温度系数的片上电阻，其包括：基底；形成于所述基底上的电阻，其具有第一连接端和第二连接端；形成于所述基底上的开关电容，其包括第一开关、第二开关和电容单元，第一开关的一端与电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电阻的第一连接端相连，第二开关的一端与所述电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电容单元的第二连接端相连；所述电容的第二连接端与所述电阻的第二连接端相连，所述电阻和所述电容单元具有同相的温度系数。通过开关电容与多晶硅、N阱或扩散电阻按比例并联来实现的复合电阻单元，其在整体阻值上体现了低温度依赖性。为需要使用低温度系数电阻的电路设计提供了不需片外电阻和温度补偿算法的简单解决方案。

主权项

一种片上电阻，其特征在于，其包括：基底；形成于所述基底上的电阻，其具有第一连接端和第二连接端；形成于所述基底上的开关电容，其包括第一开关、第二开关和电容单元，第一开关的一端与电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电阻的第一连接端相连，第二开关的一端与所述电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电容单元的第二连接端相连，所述电容的第二连接端与所述电阻的第二连接端相连；所述电阻和所述电容单元具有同相的温度系数，所述电阻和所述开关电容共同形成复合电阻单元，所述复合电阻单元具有低于所述电阻的温度系数，所述电阻和所述电容单元同为负温度系数或正温度系数。