热敏电阻芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种热敏电阻芯片及其制备方法，其原料包括如下质量比的组分：硝酸锰40-60％、硝酸钴20-35％、硝酸镍10-20％、硝酸铝5-10％，所述原料均为化学纯晶体，将上述晶体溶解于去离子水中配制成混合溶液，将混合溶液进行热分解得到混合粉体，将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并将浆料通过湿法流延成膜得到巴块，巴块经过烘干、切割、排胶、烧结、抛磨、涂银、划片工艺后，即得到所述热敏电阻芯片。本发明提供的热敏电阻芯片的电阻率为20-30KΩ·mm，材料B值为4100-4700K，其制备方法简单且无需沉淀静置或凝胶过程，具有灵敏度高、能耗少、生产周期短的特点。

主权项

一种热敏电阻芯片，其特征在于，其原料包括如下质量百分含量的组分：硝酸锰40‑60％、硝酸钴20‑35％、硝酸镍10‑20％、硝酸铝5‑10％，且所述原料均为化学纯晶体，将上述晶体溶解于去离子水中并搅拌均匀，配制成混合溶液，将混合溶液进行热分解得到混合粉体，将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并将浆料通过湿法流延成膜及其后处理工艺后，得到所述热敏电阻芯片。