一种LED发光芯片的新型倒装结构

摘要

本实用新型公开了一种LED发光芯片的新型倒装结构，包括衬底，所述衬底下表面设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层和P型半导体层上设置有暴露出N型半导体层的孔槽，孔槽内部和P型半导体层表面设置有光阻层，光阻层上设置有缺口，N型半导体层和P型半导体层通过缺口分别连接金属电极。上述LED发光芯片采用光阻层代替SiO₂钝化层，简化LED芯片的结构；光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，能更好的起到保护作用；此外，还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。

主权项

一种LED发光芯片的新型倒装结构，其特征在于：包括衬底（10），所述衬底（10）下表面设置有由上至下依次排列的N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），所述发光层（30）和P型半导体层（40）上通过蚀刻形成暴露出N型半导体层（20）的孔槽，所述孔槽内部和P型半导体层（40）表面设置有由透明绝缘的光刻胶通过曝光形成的光阻层（50），所述光阻层（50）上设置有暴露N型半导体层（20）和P型半导体层（40）的缺口，所述N型半导体层（20）和P型半导体层（40）通过缺口分别连接金属电极。