FinFET鳍片的制作方法

摘要

本申请提供了一种FinFET鳍片的制作方法。该制作方法包括：在绝缘体上硅上设置硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层和部分绝缘体上硅，形成相互隔离的条形结构；在条形结构之间的绝缘体上硅上设置氧化层；回蚀部分硬掩膜层，使氧化层的部分侧壁暴露；刻蚀氧化层使暴露出的氧化层侧壁形成缺角；以及回蚀部分氧化层，得到鳍片。氧化层经过刻蚀后在侧壁形成缺角，使靠近条形结构的氧化层的高度低于其余部分氧化层的高度，进而使得靠近条形结构的氧化层的刻蚀时间较短，在其余部分氧化层刻蚀完成时靠近条形结构的氧化层也被刻蚀完全，避免了在鳍片底部附近残留氧化硅，从而避免了footing效应造成的晶体管特性劣化的弊端，进一步降低绝缘体上硅的损伤。

主权项

一种FinFET鳍片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在绝缘体上硅上设置硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和部分所述绝缘体上硅，形成相互隔离的条形结构；在所述条形结构之间的所述绝缘体上硅上设置氧化层；回蚀部分所述硬掩膜层，使所述氧化层的部分侧壁暴露；刻蚀所述氧化层使所述暴露出的氧化层侧壁形成缺角；以及回蚀部分所述氧化层，得到所述鳍片。