| 发明名称 | 固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供了固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底。提供了一种固态摄像装置，包括：半导体衬底主体，包括设置在其上层上的元件形成层和吸杂层；光电转换元件，每个光电转换元件都包括设置在元件形成层中的第一传导型区域以及；电介质膜，其设置在吸杂层的上层上并且在吸杂层的表面中感应出第二传导型区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101800232B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201010107222.5 | 申请日期 | 2010.02.01 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 岩渊信 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 王安武;南霆 |
| 主权项 | 一种固态摄像装置，包括：半导体衬底主体，包括元件形成层和设置在所述元件形成层的上层上的吸杂层；设置在所述元件形成层中的光电转换元件，每个所述光电转换元件都包括第一传导型区域；以及电介质膜，其设置在所述吸杂层的上层上并且在所述吸杂层的表面中感应出第二传导型区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||