一种晶圆生产工艺

摘要

本发明公开一种晶圆生产工艺，包括如下步骤：晶棒成长工序；晶棒裁切与检测；外径研磨；切片；圆边；研磨；蚀刻；去疵；抛光；清洗。本发明工艺过程简单，生产出的晶圆质量高，同时降低了生产成本，提高了产品良率。

主权项

一种晶圆生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：S101、晶棒成长工序；S102、晶棒裁切与检测：将长成的晶棒去掉直径未达标头、尾部分，并对尺寸进行检测；S103、外径研磨：对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差；S104、切片：采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片；S105、圆边：电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸；S106、研磨：去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度；S107、蚀刻：以化学蚀刻的方法，去掉经上述步骤加工后在晶片表面产生的一层损伤层；S108、去疵：用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层；S109、抛光：对晶片的边缘和表面进行抛光处理，去掉附着在晶片上的微粒，获得极佳的表面平整度；S1010、清洗：将加工完成的晶片进行彻底清洗、风干。