发明名称 磷酸钇双折射晶体及其生长方法和应用
摘要 本发明涉及一种磷酸钇双折射晶体及其生长方法和应用,该晶体化学式是YPO<sub>4</sub>,属四方晶系,空间群<i>I</i>4<sub>1</sub>/<i>amd</i>,晶胞参数为<i>a</i>=6.8947 Å,<i>c</i>=6.0276 Å,<i>V</i>=286.53 Å<sup>3</sup>,<i>Z</i>=4;该晶体用于红外-深紫外波段,为单轴晶体,透过范围为150-3300nm;双折射差△n=n<i><sub>e</sub></i>-n<i><sub>o</sub></i>在0.18到0.22之间,采用高温熔体法(熔体提拉法、熔体顶部籽晶法)或助熔剂法生长磷酸钇大尺寸晶体。通过本发明所述方法获得的磷酸钇晶体尺寸大,生长周期短,透光范围宽,透过率高、双折射系数大,易于切割、抛光加工和保存。该晶体是宽波段双折射光学材料,可用于制作光纤隔离器、环状镜、光来置换器、分来器、格兰(Glan)偏振镜和其它偏振器件,在光学和通讯领域有重要应用。
申请公布号 CN105568381A 申请公布日期 2016.05.11
申请号 CN201410547158.0 申请日期 2014.10.15
申请人 中国科学院新疆理化技术研究所 发明人 潘世烈;王颖
分类号 C30B29/14(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/14(2006.01)I
代理机构 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 代理人 张莉
主权项 一种磷酸钇双折射晶体,其特征在于该晶体化学式为YPO<sub>4</sub>,属四方晶系,空间群<i>I</i>4<sub>1</sub>/<i>amd</i>,晶胞参数为<i>a</i> = 6.8947 Å,<i>c</i>= 6.0276 Å,<i>V</i> = 286.53 Å<sup>3</sup>,<i>Z </i>= 4。
地址 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号