形成半导体装置的电阻结构的方法

摘要

一种形成半导体装置的电阻结构的方法。包括：在半导体装置的晶体管区及电阻器区上方形成一层堆栈，调整晶体管区及电阻器区上方的半导体材料的掺杂程度以便得到电阻结构的目标电阻率，基于层堆栈，于晶体管区中形成一取代栅极电极结构以及于电阻器区中在隔离结构上方形成电阻结构；选择性地取代该取代栅极电极结构中的半导体材料同时实质保留电阻结构中的半导体材料。相较于可能必须基于栅极电极金属来提供电阻结构的知策略，可实现增强的面积效率，同时由于提供在隔离结构上方的电阻结构而依然可实现低寄生电容。

主权项

一种形成半导体装置的电阻结构的方法，该方法包括下列步骤：在该半导体装置的晶体管区及电阻器区上方形成一层堆栈，该层堆栈包含高k介电材料(131)、含金属覆盖材料(132)以及半导体材料(133)，该电阻器区包含隔离结构(103D)；调整该晶体管区及该电阻器区上方的该半导体材料(133)的掺杂程度以便得到电阻结构的目标电阻率，且经调整后，该晶体管区上方的该半导体材料(133)的特性仍相同于该电阻器区上方的该半导体材料(133)的特性；基于该层堆栈，于该晶体管区中形成一取代栅极电极结构，以及于该电阻器区中在该隔离结构(103D)上方形成该电阻结构；以及选择性地取代该取代栅极电极结构中的该半导体材料(133)同时实质保留该电阻结构中的该半导体材料(133)，其中该电阻结构的该目标电阻率不同于以该半导体材料(133)被取代的该取代栅极电极结构为基础所形成的晶体管的电阻率。