| 发明名称 | 光电转换元件以及光电转换元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。 | ||
| 申请公布号 | CN104662673B | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201380049902.8 | 申请日期 | 2013.09.19 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 酒井敏彦;木本贤治;小出直城;山元良高 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 戚传江;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种光电转换元件，包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在所述半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在所述第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在所述半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在所述第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在所述半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在所述第三非晶膜上，其特征在于，所述第一导电性氧化物层的导电率比所述第二导电性氧化物层以及所述第三导电性氧化物层的导电率低，所述第一导电性氧化物层的透过率比所述第二导电性氧化物层以及所述第三导电性氧化物层的透过率高。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||