| 发明名称 | 铜镓溅射靶材 | ||
| 摘要 | 本发明涉及含有Ga和Cu的溅射靶材，其具有30至68At％的Ga含量，其中，该溅射靶材作为含有Ga和Cu的金属间相仅含有CuGa<sub>2</sub>或者CuGa<sub>2</sub>的体积比大于Cu<sub>9</sub>Ga<sub>4</sub>的体积比。在有利的方式中，该溅射靶材通过火花等离子体烧结或者冷气喷涂烧结制成。与Cu<sub>9</sub>Ga<sub>4</sub>相比，CuGa<sub>2</sub>非常软，这有利于具有均匀溅射特性的无缺陷的溅射靶材的制造过程。 | ||
| 申请公布号 | CN105579599A | 申请公布日期 | 2016.05.11 |
| 申请号 | CN201480053446.9 | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 攀时奥地利公司 | 发明人 | 克里斯汀·林克;托马斯·谢勒 |
| 分类号 | C22C9/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B22F3/105(2006.01)I | 主分类号 | C22C9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张天舒;张杰 |
| 主权项 | 一种具有30至68At％的Ga含量的溅射靶材，所述溅射靶材包括至少一种含有Ga和Cu的金属间相，其特征在于，所述溅射靶材作为含有Ga和Cu的金属间相仅含有CuGa<sub>2</sub>或者CuGa<sub>2</sub>的体积比大于Cu<sub>9</sub>Ga<sub>4</sub>的体积比。 | ||
| 地址 | 奥地利乐特市 | ||