| 摘要 |
DRAM 메모리 셀과 같은 전기 디바이스를 위한 임베디드 트랜지스터 및 그 제조 방법이 제공된다. 트렌치가 기판에 형성되고, 게이트 유전체 및 게이트 전극이 기판의 트렌치에 형성된다. 소스/드레인 영역들은 트렌치의 대향하는 측들 상에서 기판 내에 형성된다. 일 실시예에서, 소스/드레인 영역들 중 하나는 스토리지 노드에 커플링되고, 다른 소스/드레인 영역은 비트 라인에 커플링된다. 이 실시예에서, 게이트 전극은 DRAM 메모리 셀을 형성하도록 워드 라인에 커플링된다. 유전체 성장 변형제는 게이트 유전체의 두께를 튜닝하기 위해 트렌치의 측벽들에 주입된다. |
