发明名称 Schalteranordnung
摘要 Schalteranordnung zum Durchschalten von positiven und negativen Spannungen an einem Eingang zu einem Ausgang, mit – einem Eingangsanschluss (12), – einem Ausgangsanschluss (14), – einer ersten Serienschaltung (24) aus zwei PMOS-Transistoren (16, 18) mit jeweils einem Gate, einem Source und einem Drain und einem Substrat (34) sowie parasitären Dioden (36) zwischen dem Source bzw. dem Drain einerseits und dem Substrat (34) andererseits, wobei die parasitären Dioden (36) zur Verhinderung des nicht gewollten Durchschaltens einer Spannung gegeneinander geschaltet sind, – einer zweiten Serienschaltung (26) aus zwei NMOS-Transistoren (20, 22) mit jeweils einem Gate, einem Source und einem Drain und einem Substrat (34) sowie parasitären Dioden (36) zwischen dem Source bzw. dem Drain einerseits und dem Substrat (34) andererseits, wobei die parasitären Dioden (36) zur Verhinderung des nicht gewollten Durchschaltens einer Spannung gegeneinander geschaltet sind, – wobei die beiden Serienschaltungen (24, 26) parallel zueinander sowie zwischen den Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (12, 14) geschaltet sind und – wobei die Sources und die Substrate der eingangsseitigen PMOS- und NMOS-Transistoren (16, 20) mit dem Eingangsanschluss (12) und die Sources sowie die Substrate der ausgangsseitigen PMOS- und NMOS-Transistoren (18, 22) mit dem Ausgangsanschluss (14) verbunden sind und – einer Ansteuereinheit (42) für die PMOS- und NMOS-Transistoren (16, 18, 20, 22) zum wahlweisen Aus- oder Einschalten der PMOS- und NMOS-Transistoren (16, 18, 20, 22) zum Sperren oder Durchlassen einer Spannung am Eingangsanschluss (12) gegenüber dem bzw. zum Ausgangsanschluss (14) oder umgekehrt, – wobei die Ansteuereinheit (42) dann, wenn der Eingangsanschluss (12) gegenüber dem Ausgangsanschluss (14) oder ...
申请公布号 DE112012001788(B4) 申请公布日期 2016.05.04
申请号 DE20121101788T 申请日期 2012.04.17
申请人 Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft 发明人 Gubanov, Dmitri;Grigoriev, Anatoli
分类号 H03K17/10;H03K17/687 主分类号 H03K17/10
代理机构 代理人
主权项
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