| 发明名称 | 场发射阴极及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种场发射阴极及其制备方法和应用。本发明场发射阴极包括导电基板和依次形成于所述导电基板表面的石墨烯层和二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。本发明场发射阴极制备方法包括在导电基板表面形成石墨烯层的步骤和在石墨烯层表面电泳形成二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层的步骤。本发明场发射阴极的开启电场低，发射电流大；发射电流的稳定性高。其制备方法保证了场发射阴极的性能稳定，降低了其生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105551909A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510979889.7 | 申请日期 | 2015.12.23 |
| 申请人 | 深圳先进技术研究院 | 发明人 | 洪序达;梁栋;石伟 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 左光明 |
| 主权项 | 一种场发射阴极，包括导电基板，其特征在于：还包形成于所述导电基板表面的石墨烯层和形成于所述石墨烯层外表面的二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||