| 发明名称 | 场效应二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种场效应二极管，包括：依次堆叠的导电层、绝缘层和沟道层；与所述沟道层接触的第一电极和第二电极，所述第二电极与所述导电层电连接。本发明的场效应二极管具有高整流比。 | ||
| 申请公布号 | CN105552134A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201610036965.5 | 申请日期 | 2016.01.20 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 张永晖;梅增霞;梁会力;杜小龙 |
| 分类号 | H01L29/87(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/87(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;张磊 |
| 主权项 | 一种场效应二极管，其特征在于，包括：依次堆叠的导电层、绝缘层和沟道层；与所述沟道层接触的第一电极和第二电极，所述第二电极与所述导电层电连接。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||