| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；衬底中的场效应晶体管；场效应晶体管上的第一层间介质层，所述第一层间介质层为应力介质材料；第一层间介质层上的第二层间介质层。利用场效应晶体管上的为应力介质材料的第一层间介质层，增加对场效应晶体管器件的应力作用，通过提高作用空间的体积来增强对器件的应力，解决由于空间减小不能满足器件应力需求的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102738233B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201110090704.9 | 申请日期 | 2011.04.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；衬底中的场效应晶体管；场效应晶体管上的第一层间介质层，所述第一层间介质层为应力介质材料；第一层间介质层上的第二层间介质层；场效应晶体管包括栅区和源漏区，第一层间介质层至少覆盖源漏区和栅区的侧壁，所述第一层间介质层的厚度不小于栅区的高度，且所述第一层间介质层上表面平坦。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||