发明名称 | 脉冲转换器电路 | ||
摘要 | 脉冲转换器电路包括第一信号输入到其中并且第二信号从其中输出的逻辑电路。该逻辑电路包括:p沟道晶体管,其根据栅极的电压确定该第二信号的电压是否设置到第一电压;和n沟道晶体管,其根据栅极的电压确定第二信号的电压是否设置到高于第一电压的第二电压。该p沟道晶体管包括含族14的元素的半导体层。该n沟道晶体管包括氧化物半导体层。 | ||
申请公布号 | CN102355252B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
申请号 | CN201110148651.1 | 申请日期 | 2011.05.18 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 斎藤利彦 |
分类号 | H03K19/0185(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;朱海煜 |
主权项 | 一种脉冲转换器电路,其包括:第一信号输入到其中并且第二信号从其中输出的逻辑电路,其中所述逻辑电路包括:所述第一信号输入到其栅极的p沟道晶体管,所述p沟道晶体管根据所述栅极的电压确定所述第二信号的电压是否设置到第一电压;以及n沟道晶体管,其具有增强型,并且具有比所述p沟道晶体管的阈值电压绝对值大的阈值电压绝对值,并且所述第一信号输入到其栅极,所述n沟道晶体管根据所述栅极的电压确定所述第二信号的电压是否设置到高于所述第一电压的第二电压,其中所述p沟道晶体管包括其中形成沟道并且包括族14元素的半导体层,并且其中所述n沟道晶体管包括其中形成沟道并且载流子浓度小于1×10<sup>14</sup>/cm<sup>3</sup>的氧化物半导体层。 | ||
地址 | 日本神奈川县厚木市 |